Hersteller Produktnummer:
TSM110NB04LCR RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM110NB04LCR RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventar:
26380 Stück Neu Original Auf Lager
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TSM110NB04LCR RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1269 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5.2x5.75)
Paket / Koffer
8-PowerLDFN
Basis-Produktnummer
TSM110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
-2068-TSM110NB04LCRRLGCT
TSM110NB04LCRRLGDKR
-2068-TSM110NB04LCRRLGTR
TSM110NB04LCRRLGCT
-2068-TSM110NB04LCRRLGTR-DG
-2068-TSM110NB04LCRRLGDKR
TSM110NB04LCRRLGTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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